Разработка перспективной элементной базы твердотельных устройств миллиметрового диапазона волн на основе эпитаксиальных структур полупроводников А3В5

Объекты исследования: полупроводниковые тонкопленочные структуры и созданные на их основе устройства для генерации и приема электромагнитных волн СВЧ-диапазона. Цель: разработка новых типов устройств для генерации и приема СВЧ-сигналов на основе полупроводниковых микро- и наноструктур. Изучены возможности создания активных антенн на подложках из арсенида галлия, преобразования энергии СВЧ-поля в постоянный ток (детектирования), свойства квантово-размерных структур и резонансно-туннельных диодов; проведена отработка методики выращивания пленок арсенида галлия на подложках из монокристаллов сурьмянистого никеля методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Разработана конструкция и создан лабораторный макет СВЧ-генератора на основе линейной матрицы микрополосковых антенн-генераторов и волноводного резонатора, встроенного в диэлектрическую подложку. Изучены возможности практического использования разрабатываемых приборов и устройств.