Создание элементов тонкопленочных p - n-гетеропереходов, изготовление экспериментальных образцов матриц 3d-памяти элементов и многофункциональной гибкой электроники

Объекты исследования: MOM-структуры на основе оксидов Ni и V, нанонити оксида In-Zn, пленки пентаоксида ванадия. Цель: создание ячеек памяти на основе оксида никеля с диодным элементом доступа (IZO-CuO); синтез нанонитей на основе индий-цинк оксида, исследование возможности их использования в качестве датчиков ультрафиолетового излучения; получение пленок пентаоксида ванадия на гибких подложках; реализация релаксационных генераторов (осцилляторов) на основе диоксида ванадия. Разработаны технологии и синтезированы прототипы сенсоров УФ-излучения на основе нанонитей оксида In-Zn, сравнимые по параметрам с зарубежными аналогами.