Разработка принципов проектирования и изготовления мощных СВЧ-транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем для приёмо-передающих модулей активных фазированных решёток на основе гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением

Цель исследования - создание конструкций и технологий производства перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе - конкурентоспособных изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений специального и двойного применения для решения широкого круга социально-экономических и оборонных задач государств - участников Союзного государства, в том числе импортозамещающих изделий, по своим техническим характеристикам и параметрам отвечающих перспективным требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям, срокам службы, и другим эксплуатационным характеристикам и конкурентной продукции рынков государств - участников Союзного государства и мирового сообщества. Приведено теоретическое обоснование выбранной конструкции гетероструктуры и принятых технологических решений. Проведены исследования свойств полученных образцов гетероструктуры. Приведены общее описание конструкции и технологии изготовления тестового полевого СВЧ-транзистора Х-диапазона, а также библиотеки стандартных элементов для проектирования МИС усилителей мощности Х-диапазона на основе разработанных гетероструктур AlGaN/GaN. Рост гетероэпитаксиальных структур проведен методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Исследование параметров ГС выполнено методом Холла, методом лазерной интерферометрии в режиме реального времени, методом визуально-оптического контроля. Контроль параметров тестового полевого СВЧ-транзистора и стандартных элементов библиотеки проведен по стандартизированным методикам. Гетероструктура GaN/AlGaN с двойным электронным ограничением представляет собой набор эпитаксиальных слоев, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гетероструктура предназначена для изготовления на ее основе полевых СВЧ-транзисторов и МИС Х-диапазона.