Получение перспективных материалов и структур на их основе для изделий оптоэлектроники

Объект исследования: пленки углерода, AlN, соединений А³В⁵ и их твердых растворов, опалоподобных структур полистирола, SiO₂, SnO₂ и ZnO. Цель: определение способов управления структурой, составом и свойствами пленок алмаза, нитрида алюминия, соединений А³В⁵, опалоподобных структур на основе полистирола, диоксида кремния, оксида цинка и олова, а также оценка перспектив использования данных слоев для микро- и оптоэлектроники. Изучены взаимосвязи структурных особенностей низкоразмерных материалов с их оптическими свойствами, влияние технологических факторов на состав и структуру синтезированных образцов, перспективы использования полученных материалов и гетероструктур в создании элементов оптоэлектроники. Определены условия синтеза монокристаллических пленок нитрида алюминия при температурах менее 300ºС. Обнаружен эффект самоотделения слоев нитрида галлия, выращенных на подложках сапфира с буферным слоем аморфного алмазоподобного углерода. Установлено, что буферные слои аморфного алмазоподобного углерода оказывают незначительное влияние на кристалличность пленок GaN. Определены условия формирования прямых и инвертированных опалоподобных материалов с фотонной запрещенной зоной в видимой и ближней инфракрасной области спектра. Показаны возможность создания на основе опалоподобных структур полистирола и диоксида кремния селективных отражающих покрытий для видимой и ближней инфракрасной области спектра, возможность создания на основе опалоподобных структур ZnO и SnO₂ эффективных сенсоров токсичных и взрывоопасных газов, принципиальная возможность напыления качественных пленок соединений А³В⁵ на подложки из кремния методом импульсного лазерного напыления.