»

Базы данных научно-технической информации

»

ИКРБС: Загрузка...

ИКРБС

№ АААА-Б17-217040650015-7

Экспериментальные исследования с характерными размерами одиночного элемента не более 50 мкм. Обобщение и оценка результатов исследований

27.12.2016

Отличительными чертами исследуемых экспериментальных образцов являются: многоэлементные фотоприемники на основе полупроводниковых диодных гетероструктур InAs(SbP)/InAsSbP, чувствительные в спектральных областях от 2,5 до 4,5 и 5,5 мкм; "флип-чип"-конструкция фотоприемного элемента с вводом излучения через свободную от контактов поверхность; диапазон рабочих температур от 150 до 350 К. Подготовлена техническая документация, разработаны и изготовлены экспериментальные образцы многоэлементных фотоприемников на основе гетероструктур InAsSb(P)/InAsSbP для спектрального диапазона 2,5 - 4,5 и 2,5 - 5,5 мкм. Проведены их испытания в интервале температур 77 - 350 К.

ГРНТИ

29.33.49 Лазерная спектроскопия

Ключевые слова

ФОТОДИОДЫ 3-5 МКМ

ФОТОПРИЕМНИКИ 3-5 МКМ

ФОТОДИОДНЫЕ МАТРИЦЫ 3-5 МКМ

ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ INAS

ФОТОДИОДНЫЕ МАТРИЦЫ НА ОСНОВЕ INAS

ФОТОДИОДНЫЕ МАТРИЦЫ НА ОСНОВЕ INASSB(P)

ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ АРСЕНИДА ИНДИЯ

Детали

НИОКТР

№ 114120470085

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Исполнитель

ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ИОФФЕЛЕД"

Похожие документы

Экспериментальные исследования фоточувствительных материалов, одно- и многоэлементных фотоприемников, чувствительных в спектральной области 2.5-3.5 мкм с характерными размерами одиночного элемента не более 200 мкм

Экспериментальные исследования фоточувствительных материалов и многоэлементных фотоприемников, чувствительных в спектральной области 2,5 - 5,5 мкм с характерными размерами одиночного элемента не более 200 мкм

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ, ОДНО- И МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФОТО-ПРИЕМНИКОВ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ В СПЕКТРАЛЬНОЙ ОБЛАСТИ 2.5-4.5 МКМ С ХАРАКТЕРНЫМИ РАЗМЕРАМИ ОДИНОЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НЕ БОЛЕЕ 200 МКМ

Экспериментальные исследования фоточувствительного материала и фоточувствительных элементов

Разработка методики получения, изготовление, проведение испытаний и исследования экспериментальных образцов фоточувствительных материалов и фотоприемников на основе диодных гетероструктур из твердых растворов InAsSb(P) для спектральной области 8-12 мкм.

Разработка, создание и исследование двухспектральных фоточувствительных гетероструктур и фотоприемников на их основе. Разработка методики формирования матрицы одиночных элементов (пикселей) с характерным размером периода не более 15 мкм методом плазмохимического травления

Разработка методики получения, изготовление, проведение испытаний и исследования экспериментальных образцов фоточувствительных материалов и фотоприемников на основе диодных гетероструктур из твердых растворов InAsSb(P) для спектральной области 8-12 мкм.

Разработка методики получения экспериментальных образцов фотоприемников с фоточувствительной областью InAsSbх (0.3<х<0.35) и длинноволновой границей фоточувствительности около 9.5 мкм, включающая процессы выращивания многослойных гетероструктур, содержащих слой InAsSbх (0.3<х<0.35) и постростовой обработки.Изготовление экспериментальных образцов фотоприемников с фоточувствительной областью InAsSbх (0.3<х<0.35) и длинноволновой границей фоточувствительности около 9.5 мкм. Проведение испытаний и исследование экспериментальных образцов фотоприемников с фоточувствительной областью InAsSbх (0.3<х<0.35) и длинноволновой границей фоточувствительности около 9.5 мкм, включающие измерение вольт-амперных и спектральных характеристик в широком интервале температур.Исследование методом динамической вторично-ионной масс-спектрометрии распределения по толщине содержания основных и примесных химических элементов в фрагментах гетероструктур на основе твердых растворов InAsSbP c фоточувствительной

Фотоприемные устройства коротковолнового инфракрасного диапазона с фотокатодом на основе гетероструктур InP/InGaAs/InP

Диссертация

Экспериментальные исследования. Обобщение и оценка результатов исследований.