Гетероструктуры, многослойники и сверхрешетки нелинейных диэлектриков - новая континуальная среда для микроэлектроники нового поколения

Объект исследования - гетероструктуры, многослойники и сверхрешетки на основе наноразмерных пленок нелинейных диэлектриков как новой континуальной среды для микроэлектроники нового поколения. Цель данного этапа - повышение термостабильности диэлектрической проницаемости, понижения диэлектрических потерь и увеличение перестройки под действием внешнего электрического поля для задач микроэлектроники. Исследования направлены на поиски новых путей управления свойствами гетероструктур. Во-первых, за счет деформации элементарной ячейки в тонкой пленке и интерфейсного влияния. Во-вторых, создание многослойных структур с различной симметрией элементарных ячеек. Диэлектрические свойства структуры в большей степени определяются нелинейным взаимодействием слоев между собой и подложкой, на уровне образования сетки дислокаций, компенсации внутренних напряжений за счет доменного строения, условиями их формирования. В ходе реализации проекта в созданных гетероструктурах действительно наблюдались различные значения внутренних механических напряжений, обусловленных в результате реализации выше отмеченных подходов, что позволило существенно видоизменить диэлектрические характеристики.