Создание инновационной технологии получения новых сверхпроводниковых наноматериалов с конкурентоспособными параметрами для изготовления чиповых криогенных устройств различного функционального назначения. Обобщение результатов исследований. Анализ полученных данных и разработка рекомендаций

Изготовлены экспериментальные образцы пассивных наноэлементов (резисторов, конденсаторов и элементов индуктивности), а также активных наноэлементов (однофотонного детектора, перестраиваемого полосового СВЧ-фильтра высоких частот и однофотонного детектора). Параметры наноэлементов проверены при термоциклировании, а также в условиях машины замкнутого цикла, при этом продемонстрирован заявленный в ТЗ уровень свойств. Подана заявка на патент «Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе в одном технологическом процессе». Показана перспективность использования разработанной технологии, обладающей уникальными конкурентными достоинствами по сравнению с другими, используемыми в настоящее время. Разработано ТЗ на ОКР по теме «Разработка и создание сверхпроводникового детектора с интегрированными пассивными и активными элементами на одном чипе».