»

Базы данных научно-технической информации

»

ИКРБС: Загрузка...

ИКРБС

№ АААА-Б17-217041920002-0

Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур А³В⁵ для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Апробация технологии изготовления тестовых кристаллов ВИЛ. Обобщение и оценка результатов исследований

29.12.2016

Цель: разработка вариантов конструкций, базовой технологии синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и методов диагностики параметров полупроводниковых наногетероструктур А³В⁵ для вертикально излучающего лазера (ВИЛ) ближнего ИК-диапазона. Проведена корректировка эскизной конструкторской документации на наногетероструктуры А³В⁵ для ВИЛ спектральных диапазонов 840 - 895 нм и 950 - 1060 нм. Разработаны комплекты эскизной технологической документации на изготовление МПЭ-методом наногетероструктур А³В⁵ для ВИЛ спектральных диапазонов 840 - 895 нм и 950 - 1060 нм, программы и методики исследовательских испытаний экспериментальных образцов наногетероструктур АА³В⁵ для ВИЛ спектральных диапазонов 840 - 895 нм и 950-1060 нм. Изготовлены экспериментальные образцы А³В⁵ для ВИЛ спектральных диапазонов 840 - 895 нм и 950 - 1060 нм, и проведены их исследовательские испытания. Предложена программа исследовательских испытаний характеристик тестовых кристаллов ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Изготовлены тестовые кристаллы ВИЛ спектральных диапазонов 840 - 895 нм и 950 - 1060 нм, и проведены их исследовательские испытания.

ГРНТИ

29.33.15 Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)

29.19.31 Полупроводники

Ключевые слова

НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА

КВАНТОВАЯ ЯМА

РАСПРЕДЕЛЕННЫЙ БРЭГГОВСКИЙ ОТРАЖАТЕЛЬ

ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИЙ ЛАЗЕР

МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ

Детали

НИОКТР

№ 114102470034

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Исполнитель

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Похожие документы

Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых квантово-размерных наногетероструктур активной области и распределенных брэгговских отражателей для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка методик измерения характеристик тестовых кристаллов ВИЛ

Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка лабораторной планарной технологии тестовых кристаллов ВИЛ.

Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии, изготовление и исследования ЭО полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработка технологии изготовления кристаллов ВИЛ.

Разработка технологии создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии компонентов гетероструктур для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм

ОТЧЕТ ПО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ "Разработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктyр лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5" промежуточный, этап 2: «Разработка базовой технологии роста методом МОС-гидридной эпитаксии планарных волноводных гетероструктур In-Ga-Al-As-P/InP для гетерогенно-интегрированных структур КНИ/А3В5»

Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300 - 1550 нм

Разработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5

Экспериментальная апробация гетероструктур, разработка планарной технологии кристаллов вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1250 - 1300 нм

Разработка научных основ эпитаксии наногетероструктур AIIIBV для нового поколения ИК-фотоприемных устройств, в том числе и на подложках кремния

Разработка технологических методов создания гетероструктур фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения на основе соединений А3В5.