Создание и диагностика функциональных нано- и гетероструктур на основе полупроводников A³B⁵ и кремния - базы оптоэлектроники нового поколения

Получены функциональные нано- и гетероструктуры, в том числе эпитаксиально сформированные, на основе полупроводников A³B⁵ и кремния. Исследованы полученные по новой технологии A³B⁵ - Si-материалы комплексом структурных и спектроскопических методов. Выявлено конкурентное преимущество A³B⁵ - Si-наногетероструктур по сравнению с традиционными материалами, так как они позволяют не только заменить дорогие подложки для производства традиционных устройств на основе GaAs (светодиоды и инжекционные лазеры, СВЧ-приборы, солнечные батареи, фотоприемники) на более дешевые кремниевые аналоги, но и дают возможность развить новую технологию монолитной интеграции A³B⁵-элементов и кремниевых интегральных схем, что должно существенно изменить всю экономику производства элементной базы оптоэлектронных приборов на основе A³B⁵.