Исследование нового поколения монолитно-интегрированных схем гигагерцевого диапазона, содержащих резонансно-туннельные диоды и полевые транзисторы с затвором Шоттки

05.09.2017

Объект исследования - монолитно-интегрированные схемы нового типа на базе резонансно-туннельных наногетероструктур. Цель исследования - разработка и создание нового класса многофункциональных приборов высокого быстродействия в монолитно-интегрированном варианте для диапазона гигагерцевых и субтерагерцевых частот, основанного на использовании квантовых явлений резонансного туннелирования в наногетероструктурах, характеризующегося рекордным быстродействием электронных процессов (времена переключения меньше 1 пс), сопоставимым с быстродействием лучших сверхпроводниковых приборов. В результате проведенных технологических исследований разработана методика изготовления методами молекулярной эпитаксии гетероструктур интегральных схем с монолитной интеграцией ТРД и ПТШ приборного качества. Разработаны базовые технологические процессы изготовления лабораторных образцов монолитно-интегрированных схем на основе наногетероструктур GaAs/AlGaAs и InAlAs/InGaAs/InP, содержащих ТРД и полевые транзисторы с затвором Шоттки. Разработан маршрут изготовления, позволяющий формировать монолитные схемы СВЧ-диапазона с двумя уровнями разводки металла.

ГРНТИ

47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники

Ключевые слова

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД

ГЕТЕРОСТРУКТУРА

ТРАНЗИСТОР С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА

МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЦИЯ

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ

Детали

НИОКТР

№ 01201367019

Заказчик

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук

Исполнитель

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

Похожие документы

Исследование и разработка новых конструкций наногетероструктур для плазмонных InP HEMT терагерцового диапазона частот

0.930

НИОКТР

Исследование объемных нелинейных процессов транспорта электронов в коротких (менее 18 периодов) сильнолегированных сверхрешетках GaAs/AlAs с целью создания элементной базы интегральных устройств диапазона частот 0,1 - 1 ТГц

0.922

ИКРБС

-Разработка, создание и исследование быстродействующего диода Шоттки на базе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия для современной компонентной базы силовой электроники

0.919

НИОКТР

Разработка и исследование сверхпроводниковых наноструктур для приемных устройств субтерагерцового диапазона

0.919