Исследование лазерных структур, выращенных на основе GaAs на подложках Ge/Si

Объект исследования - лазерные гетероструктуры с длинноволновыми (до 1.18 мкм) квантовыми ямами InGaAs/GaAs на подложках Ge/Si и GaAs. Цель исследования - разработка технологии выращивания указанных структур. Исследовались разные приемы предотвращения релаксации InGaAs слоев. Впервые получены излучающие в области прозрачности объемного кремния (длина волны больше 1100 нм при комнатной температуре) лазерные структуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной и отклоненной на 4 градуса к оси [011] подложках Si(001) с релаксированным буфером Ge. На основе вышеуказанных структур созданы InGaAs/GaAs/AlGaAs лазерные диоды, генерирующие стимулированное излучение в импульсном режиме при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1,09-1,11 мкм.