Электронные состояния и транспорт в наноструктурах с сильным спин-орбитальным взаимодействием

Цель исследования - изучение электронных квантовых состояний и транспорта в современных наноразмерных электронных системах и структурах на основе топологических изоляторов и полупроводников с сильным спин-орбитальным взаимодействием. В 2017 г.: 1) рассчитаны и проанализированы спектры двухэлектронных связанных состояний и их электронная структура в двумерных электронных системах как в топологической фазе, так и в обычном состоянии; 2) исследованы эффекты спин-орбитального взаимодействия в одномерной электронной системе, индуцированного зарядами изображения, которые электроны наводят на металлическом затворе, расположенном вблизи изучаемой системы; 3) рассчитаны спектры энергии одночастичных и двухчастичных состояний электронов, локализованных на бидефектах в двумерных топологических изоляторах с сильнолокализованным потенциалом, изучена их зависимость от величины потенциала и расстояния между дефектами; 4) изучен электронный транспорт в анизотропном состоянии, образующийся в двумерном электронном газе со спин-орбитальным взаимодействием при наличии параллельного магнитного поля.