ОТЧЕТ О ПРИКЛАДНЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ в рамках проектной части государственного задания в сфере научной деятельности (ЗАДАНИЕ № 8.3423.2017/ПЧ от 31.05.2017) по теме: Исследование и разработка элементов высокоинтегрированных приемных модулей К-диапазона типа "Система на кристалле", выполняемых по кремниевым наногетерструктурным технологиям, для систем связи (промежуточный) Этап 1

Объект исследования - сверхвысокочастотные приемные модули K-диапазона типа «система на кристалле» (СнК), выполненные по кремниевым наногетероструктурным технологиям, для систем связи. Цель исследования - моделирование, проектирование, изучение способов схемотехнической реализации и экспериментальное исследование основных элементов высокоинтегрированных приемных модулей K-диапазона типа СнК, выполненных по кремниевым наногетероструктурным технологиям; разработка и изготовление опытных образцов монолитных интегральных схем (МИС) функциональных элементов однокристальных приемных модулей. В ходе первого этапа проекта выполнены обзор, анализ и выбор технологий изготовления СВЧ МИС и СнК, вариантов построения функциональных элементов приемных модулей в интегральном исполнении; рассмотрена технология проектирования МИС, СнК и приемных модулей. Выбраны и обоснованы направления исследований. Разработана структурная схема однокристального приемного модуля на базе SiGe BiCMOS технологии. Разработаны новые методики автоматизированного синтеза принципиальных схем МИС малошумящих усилителей (МШУ) на основе генетического алгоритма. Разработана методика проектирования субгармонического смесителя на ячейке Гильберта с преобразованием частоты вниз. С использованием предложенных методик разработаны и изготовлены макеты МИС МШУ и субгармонического смесителя диапазона 18 - 25 ГГц. Также разработан и изготовлен макет МИС секции фазовращателя диапазона 8 - 10,5 ГГц для приемного модуля.