Моделирование процессов формирования и обработки наноструктурированных слоев карбида кремния

Объект исследования - технологические процессы формирования планарных структур карбида кремния. Цель исследования - разработка теоретических и технологических основ получения наноструктурированных пленок карбида кремния на изолирующих подложках для производства новых типов электронных компонентов, способных функционировать в экстремальных условиях. На данном этапе была решена задача, связанная с формированием математических моделей технологических процессов получения планарных приборных структур карбида кремния и обработки слоев карбида кремния на подложках. В результате выполнения работы проведен анализ научно-технической литературы, нормативно-технической документации и других материалов по теме работы. Описаны основные модели формирования наноструктурированных слоев карбида кремния и основных процессов обработки наноструктурированных слоев карбида кремния. Результаты исследования могут быть использованы в области разработки полупроводниковых приборов для экстремальной электроники и аэрокосмического приборостроения.