Рабочий проект. Проведение предварительных испытаний.

Объекты исследования: экспериментальный образец системы автоматизированного проектирования специализированных микросхем типа «система на кристалле» на базовых кристаллах (ЭО САПР СнК) и технология проектирования специализированных микросхем типа «система на кристалле» на базовых кристаллах на основе разрабатываемой САПР СнК. Цель: разработка технологии проектирования специализированных микросхем типа «система на кристалле» на базовых кристаллах (БК) на основе отечественной САПР СБИС. Выполнены разработка и изготовление экспериментального образца САПР СнК (ЭО САПР СнК). Разработана технология проектирования специализированных микросхем типа «система на кристалле» на базовых кристаллах на основе разработанной САПР СнК. Разработаны техническая и программная документация ЭО САПР СнК RU.ГАВЛ.03102-01, программа предварительных испытаний и программа тестовой эксплуатации ЭО САПР СнК. Проведены предварительные испытания и тестовая эксплуатация ЭО САПР СнК. По результатам тестовой эксплуатации выполнена корректировка подсистем САПР СнК, микросхем. Подготовлена соответствующая техническая документация на микросхемы в составе карт заказа и удостоверяющих листов; оформлены протоколы испытаний экспериментальных и опытных образцов тестовых и аттестационных микросхем. Разработан и изготовлен на базе оборудования National Instruments стенд для исследования экспериментальных образцов тестовых микросхем. Область применения: проектирование специализированных микросхем объемом не менее 8 млн транзисторов.