Разработка и исследование структур на основе перспективных функциональных материалов для микроэлектроники и фотоники

Проведены теоретические и прикладные исследования физических основ работы и технологии создания полупроводниковых лазеров ближнего ИК-диапазона. Теоретически изучены процессы адсорбции щелочных металлов и галогенов на поверхность графена, и оценено влияние механических напряжений в графеновой пленке на смещение G-пика рамановского спектра. Выполнено исследование деградации параметров ⁴Н-SiC-диодов Шоттки при их облучении электронами с энергией 0,9 МэВ. Изготовлены транзисторные и диодные структуры на основе графеновых пленок. Разработаны дислокационные модели релаксации напряжений несоответствия в композитных наноструктурах, технология эпитаксиального роста, и выращены InGaN/GaN-многослойные структуры методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для создания электрооптического модулятора с поперечным распространением света. Изучен метаболизм меди в клетках подопытных животных.