ИКРБС
№ АААА-Б18-218040390049-2

Моделирование полей упругих деформаций и электронного спектра в полупроводниковых наногетероструктурах с пространственно упорядоченным ансамблем квантовых точек

20.03.2018

Объект исследования: пространственно упорядоченные массивы квантовых точек Ge на Si. Цель: разработка методов и алгоритмов математического моделирования для вычисления полей упругой деформации и электронной структуры квантовых точек. Разработана модель Монте-Карло (МК) роста гетероструктур Ge/Si, учитывающая упругие деформации в системе. Методом МК проведено моделирование роста Ge на структурированных подложках Si, приготовленных с использованием ионного облучения. Учтен вклад межузельных атомов, введенных облучением, в распределение упругих деформаций на донышках канавок. Получена зависимость морфологии наноструктур германия от температуры и угла наклона стенок канавок. Разработаны параллельные алгоритмы и программы для моделирования роста Ge на Si методом МК. Предложена методика расчета потенциального рельефа для поверхности структурированной подложки кремния методом молекулярной динамики (МД). Построены карты потенциального рельефа для канавок треугольного профиля и ямок в форме перевернутых усеченных и неусеченных пирамид. Методом МД рассчитана удельная энергия различных морфологий наноструктур германия на структурированных подложках кремния. Определены условия роста нескольких наноостровков в одной ямке. Для структурированных подложек Si, содержащих систему параллельных канавок и сформированных с использованием ионного облучения, методом МД рассчитано распределение упругих поверхностных деформаций, возникающих под действием кластеров межузельных атомов. Показано, что деформации меняют знак в зависимости от угла наклона стенок канавок. На основе данных моделирования объяснено наблюдаемое в эксперименте местоположение наноостровков Ge по отношению к канавкам. Для моделирования методом МД предложены параллельные алгоритмы и программы. Для организации функционирования распределительных вычислительных систем при решении задач разработаны: средства повышения эффективности выполнения параллельных программ для вычислительных систем с общей и распределенной памятью, алгоритмы планирования ресурсов вычислительных систем между параллельными масштабируемыми программами пользователей, алгоритмы и программы самодиагностики распределенных вычислительных систем.
ГРНТИ
29.19.04 Структура твердых тел
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
27.41.41 Алгоритмы решения задач вычислительной и дискретной математики
Ключевые слова
ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ
ОРГАНИЗАЦИЯ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ
АНАЛИЗ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
ПРОСТРАНСТВЕННО УПОРЯДО-ЧЕННЫЙ АНСАМБЛЬ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ
МОДЕЛИРОВАНИЕ
Детали

Заказчик
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Российская академия наук"
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Похожие документы
Моделирование полей упругих деформаций и электронного спектра в полупроводниковых наногетероструктурах с пространственно упорядоченным ансамблем квантовых точек
0.963
ИКРБС
Упругодеформированное состояние полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками
0.922
ИКРБС
РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ, МАСШТАБИРУЕМЫХ МЕТОДОВ И ПРО-ГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ПАРАЛЛЕЛЬНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ГЕТЕ-РОЭПИТАКСИИ НА РЕЛЬЕФНЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ КРЕМНИЯ
0.921
ИКРБС
Моделирование полей упругих деформаций и электронного спектра в полупроводниковых наногетероструктурах с пространственно упорядоченным ансамблем квантовых точек (Программа I.33 Фундаментальные проблемы математического моделирования)
0.919
НИОКТР
Физико-технологические основы роста напряженных наногетероструктур и нанодиагностика квантово-размерных структур на основе кремния и германия
0.917
НИОКТР
Упругодеформированное состояние полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками
0.911
ИКРБС
Исследование полей упругих деформаций и напряжений в массивах вертикально упорядоченных Ge(Si)-наноостровков
0.910
Диссертация
Физико-технологические основы роста напряженных наногетероструктур и нанодиагностика квантово-размерных структур на основе кремния и германия
0.910
ИКРБС
ИССЛЕДОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ЯМ И КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ГЕРМАНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ И В ОБЪЕМЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
0.907
ИКРБС
Моделирование электронных состояний и оптических процессов в кремниевых наноструктурах
0.906
Диссертация