Нанокомпозитные тонкопленочные соединения: формирование, свойства, применения (промежуточный)

Объект исследования: наноразмерные полупроводниковые включения ZnSe и ZnS в матрицах SiO₂ и Al₂O₃, ZnO. Цели: получение методом ВЧ-магнетронного распыления и исследование влияния температуры осаждения на структуру и оптические свойства пленок селенида цинка; получение и исследование слоистых нанокомпозитов сульфид (селенид) цинка/диэлектрик; выявление критической толщины полупроводника в слоистых нанокомпозитах на примере системы ZnSe/SiO₂; исследование свойств наноструктур ZnSe/Al₂O₃; исследование влияния технологических режимов на свойства активного диэлектрика ZnO для использования данного материала в дальнейшем в качестве матрицы нанокомпозитных структур. Выяснено влияние температуры осаждения на структуру и свойства пленок селенида цинка, полученных ВЧ-магнетронным распылением. Исследованы слоистые нанокомпозиты сульдид (селенид) цинка/диэлектрик. Выявлена критическая толщина селенида цинка в слоистых нанокомпозитах ZnSe/SiO₂. Изучены свойства наноструктур ZnSe/Al₂O₃, полученных методом ВЧ-магнетронного напыления, а также влияние температуры конденсации, состава рабочего газа, тока ионной обработки на свойства пленок оксида цинка.