Физика границ раздела в наноструктурах на основе полупроводников типа А2В6, А3В5 и других конденсированных сред

Цель: анализ квантовых особенностей емкости МДП-структур с тонкими слоями окисла толщиной ~ 4 - 5 нм в квантующих магнитных полях, установление физико-химических закономерностей формирования границ раздела Ti/n-In₀,₅₂Al₀,₄₈As для создания СВЧ-фотодиодов с барьером Шоттки (БШ) на основе InAlAs/InGaAs/InP-гетероструктур, установление морфологии и состава границы раздела и приповерхностных слоев полупроводниковых пленок, способов очистки и начальной пассивации поверхности пленок HgCdTe, особенностей протекания тока в БШ и бариодах. Проведены экспериментальные и теоретические исследования поведения С-V и I-V характеристик твердотельных структур, исследования морфологии поверхностей InAlAs, КРТ и границ раздела Ti/InAlAs, а также химического состава собственного оксидного слоя на поверхности InAlAs в процессе формирования БШ. Выполнены измерения ВАХ Ti/InAlAs БШ в интервале температур 100 – 380 К и их анализ в рамках теории термоэлектронной эмиссии и модели Танга. Выявлены корреляция морфологии поверхности InAlAs и понижение высоты барьера из-за наличия микрорельефа поверхности при формировании БШ. Получен обширный набор экспериментальных данных, проведено численное моделирование измеренных C-V характеристик и протекающих токов в структурах. Результаты могут быть применены для разработки приборов спинтроники, надежных и эффективных способов управления электрофизическими параметрами Ti/InAlAs БШ, а также выявления механизмов формирования таких границ раздела для разработки технологии изготовления СВЧ-фотодиодов на основе БШ на InAlAs/InGaAs/InP-гетероструктурах.