Разработка научных основ эпитаксии наногетероструктур AIIIBV для нового поколения ИК-фотоприемных устройств, в том числе и на подложках кремния

Объекты исследования: гетероструктуры InGaAs/InP, GaAs/Si, GaSb/Si и твердые растворы InAsₓSb₁₋ₓ. Цель: исследование влияния промежуточных монослоев мышьяка, фосфора, галлия, алюминия и их комбинаций, нанослоев AlSb, GaAs и GaP (их толщины, условий и способов нанесения) на дислокационную структуру и степень релаксации буферных слоев GaSb и GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (001), отклоненных на 2 - 6° к <111>. Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведены in situ экспериментальные исследования эволюции морфологического состояния поверхности Si и наноостровков GaAs и GaSb на начальных стадиях гетероэпитаксии слоев GaAs и GaSb на Si (001) в зависимости от условий их формирования. Выращены гетероструктуры GaAs/Si, GaSb/Si и InGaAs/InP. Изготовлены тестовые фотодетекторные структуры, и исследованы их фотоэлектрические характеристики. Выявлены условия зарождения слоев GaAs и GaSb на Si (001), способствующие введению интерфейсной сетки дислокаций несоответствия (interfacial misfit (IMF) array), состоящей из чисто краевых 90°-ных дислокаций. Определены дислокационная структура буферных слоев GaAs и GaSb и степень их релаксации в зависимости от условий проведения циклических отжигов.