Исследование в области синтеза специальных композитов и элементов базы для микроэлектроники с использованием функциональных и полупроводниковых покрытий

Проанализированы ключевые проблемы гетероэпитаксии, выделены перспективные способы совершенствования темплейтов, и представлены результаты магнетронного осаждения AlN на сапфир. Перспективность разработки технологии получения низкодефектных темплейтов AlN на сапфире подтверждена экономическим анализом и широкими возможностями применения нитридных гетероструктур. На основе анализа процесса роста покрытия AlN на сапфире и формирования дефектов установлено, что ключом к повышению качества темплейтов является такое модифицирование магнетронного осаждения, которое приводит к усилению подвижности атомов и первичных зародышей на поверхности подложки при росте покрытия. Представлены результаты выращивания высокотемпературных буферных слоев AlN методом аммиачной МЛЭ, а также исследования возможности использования Ga в качестве сурфактанта для роста таких слоев. Приведены результаты выращивания транзисторных гетероструктур и исследования фотокаталитической активности синтезированных образцов покрытий по отношению к метиленовому синему и олеиновой кислоте. Получены образцы, фотокаталитическая активность которых близка к активности промышленно производимого стекла Pilkington Aktiv (TM).