Функциональные материалы, наноматериалы и технологиипо теме:Новые тонкопленочные материалы для оксидной электроники: прозрачные проводники с р-типом проводимости, MOCVD осаждение пленок и гетероструктур, состав, структура и электрофизические свойства (заключительный)

С помощью метода MOCVD получены эпитаксиальные тонкие пленки прозрачных оксидных полупроводников дырочного типа CuAlO₂ и твердых растворов CuCrO₂ с магнием на монокристаллических подложках YSZ, GGG, c-Al₂O₃. Измерены температурные зависимости электропроводности, сделан вывод о прыжковом характере дырочной проводимости. Образцы оксидных р-проводников получены в виде тонких пленок и керамики и охарактеризованы с помощью совокупности методов рентгеновской дифракции, текстурного анализа, фи-сканирования, ЭПР, спектроскопии оптического диапазона и КР, измерений низкотемпературной электропроводности. Исследована возможность напыления пленок на технические стеклянные подложки при снижении температуры до 500°С.