ИКРБС
№ АААА-Б18-218060590044-3ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ, МАТЕРИАЛЫ, СТРУКТУРЫ И УСТРОЙСТВА СПИНОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (промежуточный 1)
24.01.2018
Основная научная задача – решение фундаментальных вопросов, связанных с явлениями, обусловленными спиновым транспортом, в «объемных» материалах и наноструктурах. Задача имеет непосредственное отношение к спинтронике, где тесно переплетаются традиционная физика твердого тела, материаловедение и нанотехнологии. Главные вопросы спинтроники – создание спинового тока, управление им и его детектирование в различных материалах и наноструктурах. Проведены экспериментальные исследования магниторезонансных свойств многослойных структур [(CoP)soft/NiP/(CoP)hard/NiP]n. Обнаружено, что нанесение на магнитный слой (CoP)soft немагнитного аморфного слоя NiP индуцирует появление интерфейсной перпендикулярной анизотропии. Увеличение числа блоков n в многослойной структуре приводит к образованию неколлинеарной трехподрешеточной магнитной структуры. В системе CoNi/Si/FeNi изучены зависимости намагниченности в зависимости от температуры и магнитного поля для пленок с различной толщиной полупроводникового слоя. Показано, что межслоевое взаимодействие зависит от толщины немагнитной прослойки, которое является дальнодействующим. Отработана технология и синтезированы многотерминальные планарные структуры Fe₀,₇₅Si₀,₂₅/Si(111), сформированы полупроводниковые нанопровода с ферромагнитными контактами с использованием различных подходов осаждения тонких пленок полупроводников, диэлектриков и металлов, а также методов нанолитографии. С целью проверки влияния ионов Bi³⁺ на магнитоэлектрические свойства монокристаллов редкоземельных оксиборатов со структурой хантита выращены новые монокристаллы Ho₁₋ₓNdₓFe₃(BO₃)₄, Sm₁₋ₓYₓFe₃(BO₃)₄ и Eu₁₋ₓLaₓFe₃(BO₃)₄ с использованием растворов-расплавов на основе как тримолибдата висмута Bi₂Mo₃O₁₂ – Bi₂O₃, так и вольфромата лития Li₂WO₄ – B₂O₃. Изучены спонтанное зарождение, особенности перехода в равновесное состояние, определены параметры кристаллизации и условия устойчивого роста. Экспериментально и теоретически исследованы магнитные и магнитодиэлектрические свойства ферробората Ho₀,₅Nd₀,₅Fe₃(BO₃)₄ с конкурирующими обменными Ho–Fe- и Nd–Fe-взаимодействиями.
ГРНТИ
29.19.37 Теория магнитных свойств твердых тел
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.29 Сверхпроводники
Ключевые слова
СПИНТРОНИКА
ГИБРИДНЫЕ СТРУКТУРЫ
СПИН-ЗАВИСИМЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ
МАГНИТНАЯ АНИЗОТРОПИЯ
НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ СИСТЕМЫ
ОБМЕННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА
Детали
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН
Похожие документы
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ, МАТЕРИАЛЫ, СТРУКТУРЫ И УСТРОЙСТВА СПИНОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (промежуточный за 2018 год)
0.978
ИКРБС
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ, МАТЕРИАЛЫ, СТРУКТУРЫ И УСТРОЙСТВА СПИНОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
0.974
ИКРБС
Фундаментальные основы, материалы, структуры и устройства спиновой электроники
0.972
ИКРБС
Итоговый отчет по проекту РФФи № 16-42-242036
0.942
ИКРБС
Фундаментальные проблемы спинтроники на основе полупроводниковых, диэлектрических, ферромагнитных и гибридных структур. Исследование возможностей управления магнитными свойствами наноструктур электрическими, оптическими и микроволновыми полями, акустическими импульсами
0.938
ИКРБС
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И НАНОСТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ ДЛЯ СПИНТРОНИКИ
0.937
ИКРБС
Теоретические и физико-технологические основы элементной базы спинтроники, мехатроники и магноники на основе новых функциональных материалов
0.936
ИКРБС
Теоретические и физико-технологические основы элементной базы спинтроники, мехатроники и магноники на основе новых функциональных материалов
0.935
ИКРБС
Магнитные ультратонкие пленки и наногетероструктуры как функциональные наноматериалы для спин-орбитальной электроники.
0.934
ИКРБС
Теоретические и физико-технологические основы элементной базы спинтроники, мехатроники и магноники на основе новых функциональных материалов
0.933
ИКРБС