ИКРБС
№ АААА-Б18-218072490026-3Выбор направления исследований и разработка технологии изготовления активной области для ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработка конструкции кристаллов ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм.
28.12.2017
Выполнен аналитический обзор современной научно-технической, нормативной, методической литературы. Разработаны: математическая модель для математического моделирования квантово-размерных наногетероструктур активной области ВИЛ; конструкции тестовой квантово-размерной гетероструктуры для активной области ВИЛ; технология изготовления тестовой квантово-размерной гетероструктуры для активной области ВИЛ методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изготовлены макеты тестовых квантово-размерных гетероструктур для активной области ВИЛ. Разработаны программа и методики исследовательских испытаний тестовых квантово-размерных гетероструктур для активной области ВИЛ. Проведены исследовательские испытания макетов тестовых квантово-размерных гетероструктур для активной области ВИЛ. Определены технические принципы построения кристалла ВИЛ. Разработана конструкция кристаллов ВИЛ. Подготовлен эскизный технологический маршрут изготовления кристаллов ВИЛ.
ГРНТИ
29.31.21 Оптика твердых тел
29.33.15 Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)
29.33.51 Физические основы применения лазеров
Ключевые слова
ФОТОНИКА
ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИЙ ЛАЗЕР
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
ФОСФИД ИНДИЯ
АРСЕНИДЫ ГАЛЛИЯ
ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ
Детали
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИТМО"
Похожие документы
Изготовление и исследование ЭО гетероструктур и кристаллов ВИЛ. Обобщение и оценка результатов исследований.
0.940
ИКРБС
Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка лабораторной планарной технологии тестовых кристаллов ВИЛ.
0.906
ИКРБС
Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых квантово-размерных наногетероструктур активной области и распределенных брэгговских отражателей для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка методик измерения характеристик тестовых кристаллов ВИЛ
0.903
ИКРБС
Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии, изготовление и исследования ЭО полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработка технологии изготовления кристаллов ВИЛ.
0.903
ИКРБС
ВЫБОР НАПРАВЛЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ, РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА ГЕТЕРОСТРУКТУР, РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ КРИСТАЛЛА ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИХ ЛАЗЕРОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 1250-1300НМ
0.901
ИКРБС
Экспериментальная апробация гетероструктур, разработка планарной технологии кристаллов вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1250 - 1300 нм
0.899
ИКРБС
Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур А³В⁵ для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Апробация технологии изготовления тестовых кристаллов ВИЛ. Обобщение и оценка результатов исследований
0.895
ИКРБС
Поисковые исследования технологии изготовления и проектирования монолитных интегральных схем для приемопередающих систем связи диапазона частот 100 - 140 ГГц на широкозонных гетероструктурах (InAlGa)N/GaN
0.891
ИКРБС
Разработка конструкции и технологии создания полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм для высокоскоростных оптических линий связи и сенсорных устройств
0.890
НИОКТР
Разработка физических основ конструирования и технологии создания полупроводниковых гетероструктур вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300–1550 нм, фотоприемников спектрального диапазона 850–1600 нм, лазеров с пассивной синхронизацией мод и других типов новых оптоэлектронных приборов
0.887
ИКРБС