Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения ВЫБОР И ОБОСНОВАНИЕ НАПРАВЛЕНИЙ ИССЛЕДОВАНИЙ, ПРОВЕДЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ Этап 1 (промежуточный)

Цель: выбор направления исследований и основных технических и технологических параметров для разрабатываемой технологии. Выполнен аналитический обзор современной научно-технической, нормативной, патентной и методической литературы по проблемам технологий изготовления СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения, эпитаксиального выращивания слоев InAlN для InAlN/GaN-транзисторов, изготовления СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур InAlN/GaN, электрофизического моделирования СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения, изготовления пассивных элементов сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем (СВЧ МИС) для изделий космического применения, субмикронных элементов топологии СВЧ-транзистора, разработки СВЧ-моделей СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур InAlN/GaN и пассивных элементов СВЧ МИС для миллиметрового диапазона длин волн, монтажа кристаллов МИС мощных СВЧ-усилителей на теплопроводящее основание. Проведены экспериментальные исследования процесса эпитаксиального выращивания слоев InAlN для InAlN/GaN-транзисторов, технологий изготовления InAlN/GaN-транзисторов со слоями InAlN различного состава, пассивных элементов СВЧ МИС, топологических элементов на подложках с транзисторными AlGaN/GaN-гетероструктурами на подложках SiC методом проекционной литографии, топологических элементов на подложках с транзисторными AlGaN/GaN-гетероструктурами на подложках SiC методом проекционной литографии.