Исследования процессов эпитаксиального роста и свойств гетерострукутр на основе нитрида галлия, выращенных на подложках кремния для реализации высокого структурного совершенства и высокой эффективности излучения (итоговый)

Изучены свойства гетероструктур, сформированных на подложках Si с промежуточным слоем SiC, синтезированным методом замещения атомов. Показана возможность использования таких подложек для создания светодиодов. Созданы core-shell микрокристаллические светодиодные структуры InGaN/GaN на кремниевых подложках. При протекании тока наблюдалась электролюминесценция микрокристаллов в сине-зеленом спектральном диапазоне. Исследованы процессы релаксации напряжений и снижения плотности дислокаций при газофазной эпитаксии в напряженных гетероструктурах. Показана возможность практического использования разработанной модели.