Разработка и создание элементов принципиально новой электроники – магнитополяронных структур и устройств спинтроники на их основе.

Сложные оксиды проявляют замечательные физические свойства, особенно у поверхностей и интерфейсов. Их эпитаксиальное интегрирование с повсеместно используемой кремниевой технологической платформой может привести к созданию приборов с уникальными функциональными свойствами, но является сложно достижимым из-за химических процессов у интерфейса Si/оксид. Стандартный подход к подавлению реакций на интерфейсе предполагает защитную основу – поверхностную суперструктуру со стехиометрией SrSi₂. Однако, только небольшое количество оксидов проявляет эпитаксиальную связь с кремнием с атомно резким интерфейсом. Предложен альтернативный подход – использование обогащенных металлом субмонослойных основ в качестве общего рецепта. Удалось достичь их устойчивого синтеза, проведена структурная характеризация, использующая дифракционные методики и электронную микроскопию. Механизм защиты поверхности был определен при исследовании кинетики окисления.