НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ОТЧЕТ о выполнении этапа 1 НИР "Разработка СВЧ гетероструктурного сверхмалошумящего транзистора диапазона 0.5 - 18 ГГц"

Проведены обзор и анализ современных данных открытых публикаций и материалов зарубежных конференций относительно применяемых конструктивно-технологических решений по изготавливаемым сверхмалошумящим и сверхвысокочастотным гетероструктурным транзисторам. Выполнены: расчетная оценка шумовых и частотных параметров сверхмалошумящих транзисторов; базовая конструкция и состав слоев метаморфных гетероструктур для обеспечения низкого коэффициента шума и высокого усиления в диапазоне частот до 18 ГГц. Выполнены расчеты зонной структуры образцов, моделирование крутизны транзистора в зависимости от параметров конструкции гетероструктуры и ее состава для РНЕМТ и МНЕМТ гетероструктур. Расчет для МНЕМТ гетероструктур выполнен в ОАО «ЦКБА». Проведено проектирование конструкции и топологии матрицы малошумящих дискретных транзисторов с различными геометрическими параметрами топологии для выполнения экспериментальных исследований. Осуществлена разработка метаморфной технологии изготовления образцов эпитаксиальных структур на подложках GaAs с различным содержанием хInAs в диапазоне 25 ÷ 55%. Достигнуты значения подвижности электронов 9860 см²/(В·с) при температуре 295 К при концентрации электронов 1,4·10¹² см⁻² (содержание InAs 55%) и 8390 см²/(В·с) при температуре 295 К при концентрации электронов 2,4·10¹² см⁻² (содержание InAs 38%). Проведена отработка технологии изготовления наноразмерных грибообразных затворов методом электронной литографии по системе электронных резистов РММА/PMGI/PMMA с многослойной металлизацией Pt/Ti/Au. Достигнута топологическая норма основания затвора 120 нм. Разработана Технологическая инструкция по изготовлению метаморфных MHEMT гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs.