ИКРБС
№ АААА-Б19-219011090047-0Выбор направления исследований
09.01.2019
Цель: разработка базовой технологии изготовления сложнофункциональных силовых приборов на карбиде кремния, работающих в экстремальных условиях эксплуатации при повышенных температурах (до 600°С) и ионизирующем излучении. Проведены: аналитический обзор литературы и патентные исследования; анализ методов формирования р - n-переходов, подзатворного диэлектрика и омических контактов MOSFET-транзистора на карбид-кремниевой подложке; отработка технологических операций формирования омических контактов к n-слоям SiC-структур. Разработаны и согласованы: комплектность документации, технические требования к тестовым структурам на карбид-кремниевой подложке, тестовый кристалл для карбид-кремниевой подложки.
ГРНТИ
47.09.29 Полупроводниковые материалы
47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы
Ключевые слова
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
КАРБИД КРЕМНИЯ
ТЕХНОЛОГИЯ КАРБИД КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ КАРБИД-КРЕМНИЕВЫЕ ДМОП-ТРАНЗИСТОРЫ
Детали
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Похожие документы
Теоретические и экспериментальные исследования технологических операций
0.957
ИКРБС
Исследование и разработка технологии создания высоковольтных силовых MOSFET приборов на карбиде кремния
0.947
НИОКТР
Разработка требований к элементам новой технологии создания высоковольтных силовых MOSFET приборов на карбиде кремния
0.944
НИОКТР
"Разработка и серийное освоение 3D и планарной технологии производства карбидкремниевых полупроводниковых приборов" в рамках реализации комплексного проекта № 02.G25.31.0201 "Создание технологической линии, разработка и серийное освоение на ее базе карбидкремниевых 3D и планарной технологий"
0.933
НИОКТР
Исследования конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения.
0.930
ИКРБС
Разработка физических основ функционирования и технологических основ синтеза приборных структур на основе наноструктурированных слоев карбида кремния
0.926
ИКРБС
Разработка и исследование технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов и МИС на основе AlInGaN наногетероструктур на подложках полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм
0.926
ИКРБС
Исследование конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ-транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения
0.926
ИКРБС
Физико-технологические основы формирования канала силового МДП-транзистора на карбиде кремния
0.926
Диссертация
Исследования конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ-транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения. Апробация технологии обработки подложек карбида кремния
0.925
ИКРБС