ИКРБС
№ АААА-Б19-219041590069-4

Исследование эффектов комбинирования свойств в наноструктурированных гетерофазных системах сегнетоэлектрик – полупроводник (диэлектрик). Исследование механизмовэлектронного транспорта, процессов переключения, а также зарядовых состояний на гетерофазных границах раздела в композитных сегнетоэлектрических пленкахпо теме:ФОРМИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ОКСИДНЫХ И ОРГАНО-НЕОРГАНИЧЕСКИХ ПЛЕНОЧНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОМПОЗИТОВ ДЛЯ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ УСТРОЙСТВФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

30.01.2019

Цель: изучение физико-химических процессов, протекающих при формировании тонкопленочных композитных сегнетоэлектрических материалов с фотовольтаическими, пироэлектрическими и поляризационными размерными эффектами. Методология проведения работы заключается в комбинировании свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых (диэлектрических) материалов в рамках одной системы при ее определенном структурировании и учете необходимой совместимости компонентов, а также влияния размерных эффектов, что позволяет получать новые среды с уникальными свойствами. Получены новые материалы с уникальными характеристиками (пленочные композитные сегнетоэлектрические материалы с расширенными функциональными возможностями, в частности новые фотовольтаические системы, термостойкие диэлектрики с высокой диэлектрический проницаемостью). Проведены теоретическое и экспериментальное исследования особенностей формирования композитных сегнетоэлектрических систем. Разработаны методики структурирования композитных пленок, стенды для изучения их физических характеристик.
ГРНТИ
29.19.35 Сегнето- и антисегнетоэлектрики
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
Ключевые слова
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНОЧНЫЕ КОМПОЗИТЫ
Детали

Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
Похожие документы
Формирование и исследование оксидных и органо-неорганических пленочных сегнетоэлектрических композитов для нового поколения устройств функциональной электроники
0.968
НИОКТР
Разработка физико-химических основ и методов формирования структуры и свойств пленочных сегнетоэлектрических композитов с оксидной и органической матрицами. Исследование физико-химической совместимости материалов и слоев при построении многослойных и композитных тонкопленочных систем с сегнетоэлектрическими оксидами
0.959
ИКРБС
Разработка новых пленочных и объемных композитных материалов с управляемыми структурными и электрическими свойствами, разработка технологий их получения и принципов создания сверхвысокочастотных устройств на их основе
0.938
ИКРБС
Теоретическое и экспериментальное исследование структурных, электронных и магнитных свойств гетероструктур на основе сегнетоэлектрических оксидов
0.937
НИОКТР
Исследование свойств границ раздела тонкопленочных сегнетоэлектрических слоев на основе HfO2 с металлами и их функционализация в инновационных устройствах для наноэлектроники
0.929
НИОКТР
Разработка новых пленочных и объемных композитных материалов с управляемыми структурными и электрическими свойствами, разработка технологий их получения и принципов создания сверхвысокочастотных устройств на их основе
0.927
ИКРБС
Создание и исследование многослойных гетероструктур с сегнетоэлектриками различной симметрии, где ожидается максимальное проявление деформационной и доменной инженерии, приводящие к возникновению новых свойств, на базе которых можно реализовать принципиально новые устройства функциональной электроники
0.924
НИОКТР
Гетероструктуры, многослойники и сверхрешетки нелинейных диэлектриков – новая континуальная среда для микроэлектроники нового поколения.
0.921
НИОКТР
Многослойные гетероэпитаксиальные структуры на основе функциональных оксидов с двумя независимыми механизмами перестройки электрических параметров для применения в устройствах СВЧ электроники
0.920
НИОКТР
Разработка новых пленочных и объемных композитных материалов с управляемыми структурными и электрическими свойствами, разработка технологий их получения и принципов создания сверхвысокочастотных устройств на их основе
0.920
ИКРБС