РАЗРАБОТКА ФИЗИЧЕСКИХ ОСНОВ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ В АКТИВНЫХ ОБЛАСТЯХ ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ

Объекты исследования: квантово-размерные гетероструктуры на основе соединений AIV и A³B⁵. Цель: разработать физические основы получения наногетероструктур с квантовыми точками в активных областях методом физического распыления материалов ионным пучком, а также конструкций наногетероструктур для эффективных ИК-устройств нового поколения. Установлено, что вертикальная стыковка трех слоев квантовых точек InAs приводит к уменьшению полуширины спектра фотолюминесценции. Вероятной причиной является релаксация механических напряжений. Разработаны физические основы получения наногетероструктур InAs/GaAs c квантовыми точками методом ионно-лучевого осаждения, и исследовано влияние материала потенциальных барьеров на их свойства. Показано, что наличие Bi на ростовой поверхности GaAs изменяет кинетику поверхностной диффузии In в процессе ионно-лучевого осаждения квантовых точек (КТ) InAs. Из-за большого размера атома висмут создает в кристаллической решетке GaAs упругие деформации и таким образом влияет на самоорганизацию КТ. Предложены конструкции наногетероструктур для эффективных ИК-устройств нового поколения.