ИКРБС
№ АААА-Б19-219030490025-5Изготовление наногетероструктур для ГБТ, разработка конструкции и технологии изготовления ГБТ
28.02.2019
Объект исследования: конструкции и технологии гетеробиполярных транзисторов (ГБТ) на основе гетероструктур арсенида галлия. Цель: изготовление наногетероструктур для ГБТ, разработка конструкции и технологии изготовления ГБТ. Разработана эскизная конструкторская и технологическая документация на изготовление наногетероструктур на основе арсенида галлия для ГБТ, и изготовлены экспериментальные образцы таких наногетероструктур. Предложены программа и методики исследовательских испытаний, и проведены исследовательские испытания электрофизических характеристик экспериментальных образцов наногетероструктур на основе арсенида галлия для ГБТ. Отработаны технологические операции получения омических контактов к наногетероструктурам на основе арсенида галлия для ГБТ, прецизионного химического и плазмохимического травления слоев наногетероструктур на основе арсенида галлия для ГБТ для формирования мезоэмиттера базы коллектора, операции пассивации областей эмиттера, базы, коллектора ГБТ, технологические операции формирования мостовых соединений областей эмиттера ГБТ. Предложена топология кристалла ГБТ. Получен комплект фотошаблонов для изготовления кристаллов ГБТ. Изготовлены и исследованы лабораторные образцы ГБТ с топологией для СВЧ-зондовых измерений.
ГРНТИ
47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы
Ключевые слова
ГЕТЕРОБИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
СВЧ–ГЕНЕРАТОР
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА
АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
ФАЗОВЫЕ ШУМЫ
ТЕХНОЛОГИЯ МОНОЛИТНЫХ СХЕМ
ДВУМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ
ТЕХНОЛОГИЯ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭПИТАКСИИ
Детали
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Похожие документы
Исследование и разработка конструкций и технологий гетеробиполярных транзисторов на основе гетероструктур арсенида галлия, необходимых для монолитных схем СВЧ-генераторов с ультранизкими фазовыми шумами коротковолновой части сантиметрового диапазона
0.948
НИОКТР
Исследование и разработка конструкций и технологий гетеробиполярных транзисторов на основе гетероструктур арсенида галлия, необходимых для монолитных схем СВЧ-генераторов с ультранизкими фазовыми шумами коротковолновой части сантиметрового диапазона
0.947
НИОКТР
Теоретические исследования по разработке конструкции и технологических принципов изготовления гетеробиполярных транзисторов
0.947
ИКРБС
Изготовление экспериментальных образцов ГБТ и исследование их характеристик, оценка результатов исследований
0.945
ИКРБС
Разработка конструкции транзисторных гетероструктур на основе p-GaN/AlGaN/GaN для создания полумостового силового каскада на высоковольтных транзисторах
0.938
НИОКТР
Разработка технологии изготовления силовых коммутационных транзисторов на основе нитрида галлия для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания
0.932
ИКРБС
Разработка технологии изготовления силовых коммутационных транзисторов на основе нитрида галлия для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания
0.931
ИКРБС
Разработка тестовых элементов и измерение электрофизических параметров слоев (Ga, Al) N
0.930
НИОКТР
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ-транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.929
ИКРБС
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.928
НИОКТР