Разработка технологических основ получения наноструктурированных слоев карбида кремния

27.12.2018

Цель: отработка получения наноструктурированных пленок карбида кремния на изолирующих подложках методом высокочастотного магнетронного распыления. Проведен сравнительный анализ известных способов выращивания тонких слоев карбида кремния. С помощью метода магнетронного распыления карбидокремниевой мишени получены образцы структур карбид кремния на ситалле и карбид кремния на поликоре. Исследованы морфология и фазовый состав полученных образцов. Результаты могут быть использованы в области разработки полупроводниковых приборов для экстремальной электроники и аэрокосмического приборостроения.

ГРНТИ

29.19.31 Полупроводники

29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела

47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники

Ключевые слова

ОКИСЛЕНИЕ

ТРАВЛЕНИЕ

КАРБИД КРЕМНИЯ

ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ

РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ

Детали

НИОКТР

№ АААА-А17-117031050036-7

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Исполнитель

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П.Королева"

Похожие документы

Моделирование процессов формирования и обработки наноструктурированных слоев карбида кремния

0.954

ИКРБС

Разработка технологии контролируемого синтеза тонких пленок карбида кремния с использованием метода молекулярно-слоевого осаждения

0.939

НИОКТР

Получение подложек полупроводникового монокристаллического карбида кремния для экстремальной микроэлектроники

0.937

ИКРБС

Способ получения тонких пленок карбида кремния на кремнии пиролизом полимерных пленок, полученных методом молекулярно-слоевого осаждения

0.933