ВЛИЯНИЕ ДЕФОРМАЦИОННЫХ НАПРЯЖЕНИЙ И ХИМИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ НА ЦЕНТРОСИММЕТРИЧНОСТЬ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ КВАНТОВЫХ ПАРАЭЛЕКТРИКОВ

Цель: проведение работ по допированию кристаллов гексаферитов М-типа путем замещения ионов магнитной подсистемы на немагнитные – ионы алюминия, титана; изучение структуры, динамики решетки и свойств кристаллов гексаферритов с другими типами длиннопериодических структур (R-, Z-гексафериты и др.). Проведены спектроскопические исследования влияния химического давления стереоактивной пары неспаренных валентных электронов свинца на диэлектрический отклик в монокристаллах гексаферрита М-типа (Ba₁₋ₓPbₓFe₁₂O₁₉, x (Pb) = 0,1: 0,3; 0,6; 0,7). Измерены широкополосные спектры комплексной диэлектрической проницаемости в диапазоне частот от 1,5 см⁻¹ до 8000 см⁻¹ и при температурах от 10 К до 300 К. Для кристаллов с x = 0,7 показано, что диэлектрические свойства решётки резко изменяются и система переходит в состояние «дипольно-спинового» стекла при понижении температуры ниже 70 К. В области частот 1 ‒ 2 ТГц обнаружено аномальное поведение спектрального отклика, которое можно связать с электронными переходами в основном состоянии. Визуализация в спектрах этих электронных переходов обусловлена наличием сильного электрон-фононного и магнитострикционного взаимодействий. Магнитоэлектрические исследования продемонстрировали наличие в образцах процессов релаксации, связанных с движением магнитных доменов.