ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПРОЕКТИРОВАНИЯ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ И ОБОРУДОВАНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Объекты исследования: станнат и оксид цинка, монокристаллический кремний, гетероструктуры металлооксид - кремний, датчики газов, надежность полупроводниковых приборов и интегральных схем, программируемые логические интегральные схемы, модели новых изделий электроники, оборудование для изготовления и контроля изделий микроэлектроники. Цель: изучение физических процессов в полупроводниковых материалах, исследование и разработка технологий изготовления изделий микроэлектроники, проектирование и моделирование новых полупроводниковых изделий, модернизация оборудования для изготовления изделий микроэлектроники и контроля их параметров. Проведены исследования фотоэлектрических свойств гетероструктур металлооксид - кремний, синтез пленок станната цинка и исследование их свойств, моделирование мощного ВЧ-DMOS-транзистора и 3D-структуры тонкопленочного полевого транзистора на аморфном кремнии.