СТРУКТУРА И МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ, ГРАНИЦ РАЗДЕЛА И ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСИСТЕМ

Объекты исследований: наноструктуры с двухмерным электронным газом (ДЭГ) и квантовые точки (КТ) на основе материалов A³B⁵, нанокристаллы Mg₂Si и CdSe, дислокации, Si-нановискеры и нанопроволоки на КНИ-структурах, обладающие уникальными электронными, оптическими и сенсорными свойствами. Цель: развитие технологий выращивания наноматериалов и разработка наноустройств и методов их диагностики при использовании электронной литографии, самоорганизации, высокоразрешающих диагностических методов и компьютерного моделирования для изучения их свойств. Разработана теоретическая модель, позволяющая вычислять отклик нанотранзистора на облучение и количественно сравнивать его с измеряемым. Детально исследовано атомное строение нанокристаллов Mg₂Si, CdSe и дислокаций в кремнии, перспективных для создания светодиодов в диапазоне 1,3 - 1,6 мкм, совместимых с Si-технологией. С применением in situ СВВ ОЭМ созданы террасированные кремниевые наноструктуры, пригодные для решения метрологических задач измерения нановысот с помощью оптической интерферометрии. Продолжено изучение процессов самоорганизации трехмерных островков Ge на поверхности Si(100) в условиях отсутствия смачивания для создания метаповерхностей, демонстрирующих плазмонные эффекты Ми-резонанса. Разработана методика криогенной микрофотолюминесценции, и исследованы излучение, оптические характеристики и тонкая структура экситонных состояний одиночных КТ AlₓIn₁₋ₓAs. Показано, что величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий, что представляет большой интерес для разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе КТ AlₓIn₁₋ₓAs. Продемонстрирована возможность детектирования онкомаркера рака молочной железы и синтетического белка вируса Эбола с помощью нанопроволочного КНИ-сенсора.