Развитие технологии формирования и исследование наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев

Цель: поиск новых методов формирования и анализа полупроводниковых микроструктур для миллиметрового и терагерцевого диапазонов, развитие технологии формирования пленок высокотемпературных сверхпроводников для новых приборов микроэлектроники, поиск новых устройств фотопреобразователей энергии солнечного света на основе органических тонкоплёночных структур, а также развитие методов оптического мониторинга. Проведено плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме хлорпентафторэтана, обеспечивающее пассивацию поверхности продуктами распада реагента. Исследованы характеристики детектирования корпусных детекторов на основе планарных низкобарьерных диодов Мотта Al/GaAs с приповерхностным δ-легированием. Разработана технология и изготовлены тонкопленочные полупрозрачные гетеропереходы фуллерен-C₆₀/йодид меди-CuI на гибких подложках и фотовольтаические ячейки на их основе. Предложен новый способ формирования структур на основе пленок ВТСП YBCO с использованием технологии «задающей маски» для роста. Разработана методика изготовления миниатюрного гибридного волоконно-оптического датчика температуры. Впервые получены методом МОГФЭ монокристаллические слои InN на подложках сапфира ориентации (11 - 20) с улучшенными структурными и оптическими свойствами. Предложен режим послойного анализа методом ВИМС на установке TOF.SIMS-5, позволяющий повысить разрешение по глубине при низкой энергии распыляющих ионов.