Анализ влияния кислородосодержащих примесей на фотоэлектрические характеристики пленок Pb1-xSnxSe. Изготовление фоточувствительных элементов с использованием фотолитографии. Разработка методики испытаний опытных образцов ИК-детекторов.

Фотоэлектрические характеристики пересыщенных твердых растворов Pb₁₋ₓSnₓSe, синтезированных методом гидрохимического осаждения, позволяют использовать их для изготовления инфракрасных детекторов. Область спектральной чувствительности варьируется в диапазоне 1,5 - 8,2 мкм в зависимости от фазового состава полупроводникового материала, а обнаружительная способность при охлаждении до температур -50°C близка к предельно возможным значениям. Чувствительные элементы подобного класса востребованы в системах безопасности и контроля технологических процессов, в медицинских приборах и изделиях специального назначения. На основе данных компьютерного моделирования и результатов измерений фотоэлектрических параметров синтезированных пленок Pb₁₋ₓSnₓSe установлена взаимосвязь между содержащимися в составе пленок кислородосодержащими примесями и фоточувствительностью. Изготовлены индивидуальные фоточувствительные элементы из твердых растворов Pb₁₋ₓSnₓSe различного фазового состава с размером чувствительной площадки 1×1 мм, разработана методика проведения испытаний фоточувствительных элементов, а также ИК-детекторов, собираемых на их основе. Продолжение исследований позволит разработать технологию изготовления ИК-детекторов нового класса для спектрального диапазона 1,5 - 8,2 мкм.