СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР С СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАМИ РАЗЛИЧНОЙ СИММЕТРИИ, ГДЕ ОЖИДАЕТСЯ МАКСИМАЛЬНОЕ ПРОЯВЛЕНИЕ ДЕФОРМАЦИОННОЙ И ДОМЕННОЙ ИНЖЕНЕРИИ, ПРИВОДЯЩЕЕ К ВОЗНИКНОВЕНИЮ НОВЫХ СВОЙСТВ, НА БАЗЕ КОТОРЫХ МОЖНО РЕАЛИЗОВАТЬ ПРИНЦИПИАЛЬНО НОВЫЕ УСТРОЙСТВА ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Цель: разработать метод создания гетероструктур SrₓBa₁₋ₓNb₂O₆, Bi₄Ti₃O₁₂ и BaₓSr₁₋ₓTiO₃ на (100) Si и (100)MgO, осуществить поиск управления в гетероструктурах внутренними напряжениями, выявить особенности полевого эффекта в многослойных гетероструктурах с сегнетоэлектриками различной симметрии. Разработана технология создания многослойных сегнетоэлектрических гетероструктур (Ba, Sr)TiO₃, (Sr, Ba)Nb₂O₆ и Bi₄Ti₃O₁₂ на кремниевой подложке. Установлено, что в указанных МСЭП-структурах возникает 180-градусная доменная структура с преобладанием доменов с поляризацией, направленной к подложке. Однако достичь двух устойчивых состояний не удается. Приведены результаты исследования тонких пленок Bi₄Ti₃O₁₂ толщиной 400 - 450 нм с различной ориентацией кристаллитов. Выявлено, что ориентацией кристаллитов можно управлять, варьируя состав подслоя BaₓSr₁₋ₓTiO₃. Показано, что кристаллиты в структуре Ba₀,₈Sr₀,₂TiO₃ - Pt - Si (111) с поверхностью 20 нм² и толщиной 1,5 нм находятся в сегнетоэлектрическом состоянии. Под действием внешнего поля происходит переключение поляризации. Разработана модель, позволяющая каждому состоянию в МСЭП-структуре ставить в соответствие два параметра: заряд на границе раздела СЭ-слоя с полупроводником и феноменологический параметр, определяющий форму ВФХ.