ИКРБС
№ АААА-Б19-219102990072-8Разработка топологии и технологии изготовления СВЧ транзисторов для создания усилителей мощности
25.10.2019
Цель исследования - разработка топологии активных элементов и технологии изготовления с использованием оптической и электронной литографии для создания усилителей мощности. Подготовлен аналитический обзор с обоснованием выбора конструкции гетероструктуры и топологии транзисторов для усилителей диапазона 93 - 98 ГГц на основе арсенида галлия. Разработан комплект эскизной конструкторской и технологической документации на тестовые транзисторы и МИС. Подготовлены протоколы измерений технологических параметров. Проведены измерения низкочастотных и S-параметров тестовых транзисторов, подготовлены протоколы измерений. Сделан выбор материала омического контакта к системе GaAlAs/GaAs, AlGaN/GaN для обеспечения требования по контактному сопротивлению по уровню менее 0,1 Ом/мм для арсенида галлия и менее 0,2 Ом/мм для нитрида галлия.
ГРНТИ
47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
47.13.10 Технология и оборудование для производства изделий электронной техники СВЧ-диапазона
Ключевые слова
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
ТРАНЗИСТОР
ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ
ШИРОКОЗОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК
Детали
Заказчик
Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют"
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Похожие документы
Разработка топологии и технологии изготовления СВЧ транзисторов для создания усилителей мощности
0.968
НИОКТР
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ-транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.950
ИКРБС
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.950
НИОКТР
Разработка технологии изготовления СВЧ транзистора на основе нитрида галлия с удельной мощностью до 10 Вт/мм на частоте 3 ГГц
0.949
ИКРБС
Разработка и исследование технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов и МИС на основе AlInGaN наногетероструктур на подложках полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм
0.948
ИКРБС
Исследование конструктивно технологических принципов построения широкополосных усилительных и генераторных компонентов СВЧ-диапазона на основе широкозонных полупроводников
0.942
ИКРБС
Исследование конструктивно технологических принципов построения широкополосных усилительных и генераторных компонентов СВЧ-диапазона на основе широкозонных полупроводников
0.942
НИОКТР
Разработка технологии и комплексного инструмента проектирования широкой номенклатуры СВЧ и силовых компонентов, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках кремния с проектными нормами до 0,25 мкм
0.941
НИОКТР
Технология изготовления транзисторов для применения в СВЧ усилителях мощности, на основе эпитаксиальных структур GaN выращенных на полуизолирующем карбиде кремния 4Н 4 дюйма
0.937
РИД
Экспериментальные исследования поставленных перед НИР задач
0.936
ИКРБС