Изготовление и испытания полупроводниковых гетероструктур ККЛ

Объект исследования: одночастотные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 5 ± 1 мкм и 9 ± 1,5 мкм. Цель: разработка вариантов конструкций, базовой технологии синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и технологии изготовления кристаллов одночастотных квантово-каскадных лазеров (ККЛ) средней инфракрасной области спектра для газоанализа и спектроскопии; изготовление и испытание полупроводниковых гетероструктур квантово-каскадных лазеров. Разработана лабораторная технология изготовления методом МПЭ гетероструктур ККЛ с длиной волны генерации 5 ± 1 мкм и 9 ± 1,5 мкм. Изготовлены лабораторные образцы гетероструктур ККЛ с длиной волны генерации 5 ± 1 мкм и 9 ± 1,5 мкм. Предложены лабораторная технологическая инструкция на технологию МПЭ полупроводниковых гетероструктур ККЛ с длиной волны генерации 5 ± 1 мкм и 9 ± 1,5 мкм, программа и методики испытаний ЛО гетероструктур ККЛ с указанной длиной волны генерации. Проведены исследовательские испытания изготовленных ЛО гетероструктур ККЛ с длиной волны генерации 9 ± 1,5 мкм. Продемонстрирована генерация ККЛ, изготовленных на основе ЛО ГККЛ (в импульсном режиме при температуре 140 K на длине волны излучения 9,6 мкм). Применены два типа нижнего контакта (вплавной и невплавной). Оценочное значение выходной оптической мощности составляет 20 - 35 mW. Проведены исследовательские испытания изготовленных лабораторных образцов гетероструктур ККЛ 9 ± 1,5 мкм по разработанным программам и методикам. Предложены лабораторная технология формирования резонатора с распределенной обратной связью, необходимого для селекции длины волны ККЛ,конструкция кристаллов ККЛ с длиной волны генерации 5 ± 1 мкм и 9 ± 1,5 мкм, лабораторные технологии изготовления кристаллов ККЛ сдлиной волны генерации 5 ± 1 мкм и 9 ± 1,5 мкм и методом МПЭ гетероструктур ККЛ с длиной волны генерации 5 ± 1 мкм и 9 ± 1,5 мкм.