Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления чувствительных элементов для датчиков на магниторезистивном эффекте

Объект разработки - преобразователь магнитного поля, особенностью которого является чувствительный элемент на основе магниторезистивных наноразмерных структур. Цель исследования - разработка отечественного преобразователя магнитного поля на основе тонкой магниторезистивной пленки. Преобразователь магнитного поля должен обеспечивать регистрацию магнитного поля как постоянного, так и переменного частотой до 1 МГц. В ходе выполнения работ на втором этапе подготовлена эскизная конструкторская документация на макет магниточувствительной магниторезистивной структуры на Si-кристалле и разработана топология магниточувствительной магниторезистивной структуры на кремниевом кристалле. Изготовлен комплект фотошаблонов на основе разработанной топологии. Представлен технологический маршрут изготовления макета магниточувствительной магниторезистивной структуры на кремниевом кристалле. Изготовлен макет магниточувствительной магниторезистивной структуры на кремниевом кристалле. Проведены исследования макета магниточувствительной магниторезистивной структуры на кремниевом кристалле. Выполненные работы позволят обеспечить создание отечественного преобразователя магнитного поля с последующим обеспечением импортозамещения зарубежных аналогов.