Приготовление структур на основе низкоразмерных соединений с волнами плотности, графита, графена, топологических изоляторов, железосодержащих сверхпроводников и исследования в них особенностей электронного транспорта

Проведены измерения магнитосопротивления в квазидвумерном проводнике TbTe₃ с волной зарядовой плотности (ВЗП) в широком интервале температур и в магнитных полях до 17 Т. При температуре, значительно ниже температуры пайерлсовского перехода, и в больших магнитных полях магнитосопротивление демонстрирует линейную зависимость от магнитного поля, обусловленную рассеянием нормальных носителей на "горячих" точках поверхности Ферми. В режиме движущейся ВЗП в слабых магнитных полях наблюдается качественное изменение магнитосопротивления, связанное с сильным рассеянием носителей на скользящей ВЗП. Разработана теория межфазного спин-орбитального взаимодействия в узких квантовых ямах. Получена перенормировка параметров Дрессельхауза и Рашбы, возникающих при спин-орбитальном взаимодействии на двух гетерограницах. Значительный разброс экспериментально определенных значений спин-орбитальных констант может быть обусловлен зависимостью параметров Дрессельхауза и Рашбы от граничных параметров и от условий роста. Продемонстрировано, что микроскопическое несходство интерфейсов приводит к конечным параметрам Рашбы даже в квантовых ямах с нулевым средним электрическим полем. Исследованы эффекты коллективного движения (скольжения) ВЗП в квазидвумерном проводнике TbTe₃ в широком интервале температур. Непосредственно после охлаждения до температур ниже температуры пайерлсовского перехода, TCDW = 336 K, пороговое поле инициации скольжения ВЗП, Et, демонстрирует зависимость от температуры, близкую к линейной. Экспозиция образцов при фиксированной температуре T0 < TCDW в течение нескольких часов приводило к существенной модификации эффекта скольжения ВЗП. Пороговое поле значительно возрастало, а зависимость Et(T) становилась немонотонной, демонстрируя сильный максимум при T = T0. Наблюдаемый эффект связывается с формированием при экспозиции упорядоченной структуры (решетки) дефектов ВЗП и с изменением режима пиннинга при ее плавлении. Проведены сравнительные измерения электронного транспорта в меза-структурах на основе FeSe в направлении вдоль и поперёк слоёв монокристалла. При протекании тока поперёк слоёв обнаружено увеличение температуры сверхпроводящего перехода (Tc), а также существование избыточной проводимости при температурах вплоть до 40 K, что значительно превышает величину Tc вдоль слоёв. Обнаруженные эффекты связываются с существованием в FeSe малых изолированных сверхпроводящих включений, приводящих в условиях сильной анизотропии к возникновению дополнительного канала проводимости в направлении поперек слоев монокристалла.