Развитие технологии и создания новых тонкопленочных материалов на базе широкозонных полупроводников и ферромагнитных материалов с полупроводниковой проводимостью для квантовых компьютеров

Цель: экспериментальные исследования, направленные на разработку технологий синтеза новых наноматериалов и наноструктур, а также исследование их свойств и возможных областей применения; развитие методов импульсного лазерного осаждения и анализ перспективности его использования для решения актуальных задач наноэлектроники. Планируются: получение методом импульсного лазерного осаждения тонкопленочных материалов и наноразмерных структур, перспективных для создания элементно-узловой базы квантовой электроники, спинтроники, мемристорики, на основе высокотемпературных ферромагнитных полупроводников и широкозонных оксидов; создание новых ферромагнитных материалов, обладающих высокой температурой Кюри и спиновой поляризацией носителей на основе концентрированных сплавов Si-Mn и ZnO-Co, InSb:Mn, GaSb:Mn, обладающих проводимостью, типичной для сильно вырожденных полупроводников; изучение физических свойств тонких пленок этих магнитных материалов и тонкопленочных структур ферромагнитных наноструктурированных материалов, обладающих выскотемпературным ферромагнетизмом, перспективных для применения в качестве элементной базы наноэлектронных систем, использующих эффект переноса и накопления электронного спина.