Комплексное изучение квантовых и критических явлений в атомных слоях

Объект исследования: низкоразмерные наноструктуры на поверхности полупроводников. Цели: разработка способов синтеза, в том числе и с использованием механизмов самоорганизации, новых низкоразмерных материалов и исследование их физических свойств для их перспективного использования в наноэлектронике и спинтронике. Все эксперименты проводили в условиях сверхвысокого вакуума (~10-10 Тор) на атомарно-чистых поверхностях полупроводниковых кристаллов. 
Для экспресс-анализа структуры поверхности была использована дифракция медленных электронов (ДМЭ). Для детального исследования механизмов формирования и атомного строения низкоразмерных структур в качестве основного метода исследования использована сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) с атомным разрешением. Проводили экспериментальные исследования методами дифракции быстрых электронов, рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии. Изучен рост ультратонкого слоя золота на Si(111)√3х√3, индуцированной адсорбцией висмута. Поверхностная проводимость образцов обусловлена морфологией пленки Au; изменяя реконструкцию поверхности подложки, можно контролируемым образом варьировать электрические характеристики пленок, выращенных на такой поверхности. Изучена структурная трансформация поликристаллических пленок оксида железа в зависимости от величины парциального давления кислорода, PO₂, при реактивном осаждении железа в атмосфере кислорода на окисленную поверхность кремния, нагретую до 300⁰С. Полученные результаты открывают надежный путь для манипулирования функциональными свойствами тонких пленок магнетита в зависимости от текстуры кристалла для передовых применений в спинтронике.