Прикладные междисциплинарные исследования в нано-, био-, инфо- и когнитивных технологияхПо теме:Разработка методов повышения отказоустойчивости, в том числе радиационной стойкости полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе технологических и схемотехнических подходов (промежуточный, этап 2019 года)

Объект исследования: радиационная стойкость микро- и наноэлектронных схем и их отказоустойчивость.Цель: разработка способов повышения радиационной стойкости и отказоустойчивости цифровых микро- и наноэлектронных схем. Проведены эксперименты по улавливанию частиц фильтрами. Показана возможность улучшения структурного совершенства эпитаксиальных пленок кремния, выращенных на подложках, модифицированных методом ионной имплантации. Изучены возможности применения теории и статистики экстремальных величин для оценки первичных радиационных повреждений в результате облучения микросхем реакторными нейтронами и космическими тяжелыми заряженными частицами. Предложены способы косвенного измерения отказоустойчивости, обеспечиваемой различными способами постоянного поэлементного резервирования цифровых микросхем при их облучении. С точки зрения классического размерного эффекта рассмотрено образование структурных дефектов решетки, фононов и ионизационных зарядов в первичных процессах взаимодействия с высокоэнергетическими нейтронами.