Полупроводниковые наногетероструктуры с аномально-высокими (рекордными) характеристиками: новые подходы к формированию и фундаментальные исследования

Цель работы – поиск технологических решений по получению интегрированных электрических и оптических устройств на основе полупроводниковых твердых растворов группы GaAs и GaN с кремнием, в том числе нанопористым, сегнетоэлектрических слоистых структур (сверхрешеток) и сегнетоэлектрических композитов, а также исследование этих перспективных материалов комплексом структурных и спектроскопических методов. В результате выполнения третьего этапа проекта найдены технологические решения по получению интегрированных электрических и оптических устройств на основе полупроводниковых твердых растворов группы GaAs и GaN с кремнием, в том числе нанопористым. Установлены атомное, электронно-энергетическое строение, оптические и электрофизические характеристики наногетероструктур на основе интегрированных с нанопористым кремнием полупроводниковых соединений A³B⁵. Разработаны и созданы новые сегнетоэлектрические наноматериалы, а также отработаны способы управления их функциональными параметрами за счет использования размерно-зависимых характеристик данных объектов в интересах качественного обновления элементной базы современной электроники.