Разработка топологии. Разработка эскизной КД. Разработка технологического маршрута изготовления экспериментального образца микросистемы. Изготовление комплекта фотошаблонов. Отработка новых технологических процессов.

«Разработка, изготовление и проведение испытаний экспериментального образца микросистемы наноразмерной переключаемой термопары для приемника ИК-диапазона на основе динамического эффекта Зеебека» (договор №3ГТС1/48805 от 25.07.2019) (заключительный)

Разработка, изготовление и проведение испытаний экспериментального образца микросистемы наноразмерной переключаемой термопары для приемника ИК-диапазона на основе динамического эффекта Зеебека

Разработка топологии чувствительного элемента датчика. Изготовление фотолитографических масок на полиимидной основе для получения структурированных покрытий из термоэлектрических металлов и сплавов с целью формирования топологии чувствительных элементов датчиков. Получение первого функционального слоя покрытия чувствительного элемента датчика (структурированного покрытия). Получение второго функционального слоя покрытия чувствительного элемента датчика (структурированного покрытия). Разработка эскизной конструкторской документации на датчик температуры.

Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач

Теоретические исследования поставленных перед ПНИ задач. Разработка технической документации

Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач. Обобщение и оценка результатов ПНИ

«Разработка теплового МЭМС-сенсора с повышенным быстродействием по сравнению с представленными на рынке болометрическими и термопарными сенсорными элементами, чувствительными к ИК излучению.» (договор 29ГТС1РЭС14/72115 от 24.12.2021) Этап №3 (заключительный)

"Анализ соотношений между требуемыми функциональными параметрами сенсора и конфигурацией чувствительных элементов (подвешенная мембрана, теплопроводные консоли, поглощающий ИК-излучение слой, термоэлектрический элемент). Разработка топологии полупроводникового кристалла и его тестовых элементов. Моделирование конструкции сенсора в статическом состоянии. Выбор и обоснование основного материала – типоразмеров структур КНИ (SOI) и корпусов для изготовления экспериментальных образцов. Выбор и обоснование основного материала – комплектующих изделий для изготовления экспериментальных образцов. Разработка технологического маршрута изготовления экспериментального образца изделия. Разработка и изготовление оснастки для изготовления экспериментальных образцов. Разработка и изготовление оснастки для измерения экспериментальных образцов. Изготовление комплекта фотошаблонов. Отработка сборки прототипа полупроводникового кристалла в корпус. Отработка новых технологических процессов изготовления тестовых элементов полупроводникового кристалла на пластинах и КНИ-структурах. Исследование и анализ тестовых элементов методами электронно-растровой микроскопии." (договор 29ГТС1РЭС14/72115 от 24.12.2021) (промежуточный)

"Корректировка топологии экспериментального образца изделия на основе отработки новых технологических процессов. Моделирование сенсора в динамических процессах его работы. Изготовление скорректированных слоев комплекта фотошаблонов в соответствии с коррекцией топологии экспериментального образца сенсора. Изготовление полупроводниковых кристаллов экспериментального образца сенсора на КНИ-структурах по результатам корректировки топологии и технологических режимов. Исследование и анализ образцов методами электронно-растровой микроскопии. Сборка прототипов полупроводникового кристалла в корпуса. Компоновка стенда для измерения параметров сенсора. Предварительные измерения экспериментального образца сенсора. Отработка методик измерения параметров сенсора." (договор 29ГТС1РЭС14/72115 от 24.12.2021) (промежуточный)

Разработка технологии формирования термочувствительного материала для элементов неохлаждаемых микроболометрических приемников ИК-излучения нового поколения