Электрофизические свойства сегнетоэлектрических гетероструктур для нового поколения устройств электроники (заключительный)

Объект исследования: сегнетоэлектрические гетероструктуры на основе тонких пленок сегнетоэлектрических перовскитов. Цель: экспериментальные исследования электрофизических свойств тонкопленочных гетероструктур на основе поликристаллических сегнетоэлектрических перовскитов для применения в интегрированных сегнетоэлектрических устройствах. Проведены экспериментальные исследования электрофизических параметров (остаточная поляризация, процессы транспорта носителей заряда и релаксации). Разработана методика определения стационарного тока утечки и параметров низкочастотной релаксации. Определены параметры компонентов (заряд и время) низкочастотной релаксации. Предложена методика определения релаксационных потерь и учета их вклада в результаты измерения параметров сегнетоэлектрического гистерезиса. Получены данные о влиянии границ раздела на параметры сегнетоэлектрических структур.