Особенности магнитных свойств функциональных магнетиков в области фазовых переходов

Разработаны измерительная схема и установка для синхронного измерения магнитокалорического эффекта и магнитострикции в интервале температур от 77 до 500 К при различных режимах изменения магнитного поля. Дана оценка погрешности измерения Tад(Т), которая составила ± 0,1 К. Проведены контрольные измерения и исследования МКЭ для образца поликристалла Gd и магнитострикции на поликристаллическом образце никеля, систематические исследования литых и быстрозакаленных образцов системы RCo₂, которые показали, что образование наноструктурированного состояния посредством быстрой закалки в соединениях RCo₂ приводит к уменьшению параметров решетки и увеличению температуры Кюри. При образовании нанокристаллического состояния в соединениях ErCo₂ и HoCo₂ порядок фазового перехода изменяется от 1-го рода ко 2-му. Такое поведение объясняется тем, что быстрая закалка приводит к сильным внутренним напряжениям, которые существенно влияют на намагниченность наноразмерных зерен. В результате энергетический барьер, разделяющий пара- и ферромагнитное состояния, значительно уменьшается в нанокристаллическом RCo₂. Теоретически и экспериментально исследована зависимость магнитных свойств соединения LaFe₁₁,₄Si₁,₆ от давления. Для этой цели создана установка, обеспечивающая весь набор параметров, необходимых для исследования функциональных материалов, реагирующих на магнитные и стрессовые воздействия. Это позволяет одновременно изучать отклики магнитной и решеточной подсистем путем непосредственных измерений намагниченности, магнитострикции и температуры образца. Разработаны теоретические подходы, позволяющие всесторонне охарактеризовать магнитоупругое взаимодействие в мультистимульных магнитных материалах. Произведен расчет влияния давления на температуру фазового перехода. Выявленная зависимость TC(p) поможет регулировать точку Кюри рабочих тел холодильников, чтобы преодолеть потери гистерезиса при фазовом переходе и увеличить диапазон рабочих температур вплоть до криогенной области.